中国芯片技术取得重大突破！

西湖大学孵化的西湖仪器（杭州）技术有限公司成功开发出12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离技术，解决了12英寸及以上超大尺寸碳化硅衬底切片难题。这项技术突破，将极大推动中国芯片产业的发展，并为全球碳化硅产业带来新的变革。

碳化硅材料的优势与挑战

与传统的硅材料相比，碳化硅具有更宽的禁带能隙以及更高的熔点、电子迁移率和热导率，可在高温、高电压条件下稳定工作，已成为新能源和半导体产业迭代升级的关键材料。然而，目前碳化硅衬底材料成本居高不下，严重阻碍了碳化硅器件的大规模应用。制造更大尺寸的碳化硅衬底材料，是碳化硅行业降本增效的重要途径之一。12英寸碳化硅衬底材料扩大了单片晶圆上可用于芯片制造的面积，在同等生产条件下，可显著提升芯片产量，同时降低单位芯片制造成本。

12英寸碳化硅衬底激光剥离技术的突破

西湖仪器此次研发的12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离技术，实现了碳化硅晶锭减薄、激光加工、衬底剥离等过程的自动化。与传统切割技术相比，激光剥离过程无材料损耗，原料损耗大幅下降，可大幅缩短衬底出片时间，适用于未来超大尺寸碳化硅衬底的规模化量产，进一步促进行业降本增效。这项技术不仅解决了超大尺寸碳化硅衬底切片难题，更将推动碳化硅产业的快速发展。

市场前景广阔

据国际权威研究机构预测，到2027年，全球碳化硅功率器件市场规模将达67亿美元，年复合增长率达33.5%。12英寸及以上超大尺寸碳化硅衬底切片需求日益增长，西湖仪器的新技术将抓住这一市场机遇，为中国芯片产业发展贡献力量。西湖仪器此前已率先推出8英寸导电型碳化硅衬底激光剥离设备，此次新技术的推出，进一步巩固了其在碳化硅衬底加工领域的领先地位。